單晶爐是一種在惰性氣體(氮氣、氦氣為主)環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長無錯位單晶的設備。
購買技術(shù)主要要求
1.單晶爐裝料量(單臺機產(chǎn)能多少) 2. 能拉多長、幾寸的硅棒 3. 拉制晶棒的成品率是多少4拉出硅棒品質(zhì)(少子壽命、電阻率、碳氧含量、位錯密度) 5設備制造工藝控制 6自動化控制程度 7設備主要關(guān)鍵部件的配置等 。
單晶爐型號定義
單晶爐型號有兩種命名方式,一種為投料量,一種為爐室直徑。比如85爐,是指主爐筒的直徑大小,120、150等型號是由裝料量來決定的
類單晶硅制備一般采用常規(guī)多晶硅鑄錠爐,鑄錠時在石英坩堝底部鋪一層籽晶,誘導晶體定向結(jié)晶,長出晶向一致的大晶粒硅錠。但是當前常用的類單晶鑄錠爐具有以下缺點I)傳統(tǒng)加熱裝置采用單電源系統(tǒng)控制頂、側(cè)加熱器,輸出功率同步,無法調(diào)節(jié)頂、側(cè)加熱器的功率配比,使熱場分布難以控制,以致長晶階段側(cè)面熱量輸入較多,生長界面中心明顯,無法獲得理想的固液界面和較優(yōu)化的晶體生長條件;2)
傳統(tǒng)熱場設計只能提升隔熱籠體通過熱交換臺被動散熱,使硅料熔化后期石英坩堝底部和側(cè)面散熱速率相差較大,無法籽晶熔化一致,獲得較好的籽晶熔化條件。3)傳統(tǒng)裝置采用隔熱籠提升技術(shù)輻射散熱,造成長晶階段坩堝側(cè)面熱量散失較多,靠近側(cè)壁的熔體過冷度較大,極易在坩堝側(cè)壁形成大量晶核,致使硅錠四周出現(xiàn)大面積多晶成分。